參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F040SUTD-Z4
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 4M (512K 】 8) Flash Memory
中文描述： 4分（為512k】8）閃存
文件頁(yè)數(shù)： 1/32頁(yè)
文件大小： 247K
代理商： LH28F040SUTD-Z4
LH28F040SUTD-Z4
1
4M (512K × 8) Flash Memory
Figure 1. TSOP Configuration
FEATURES
512K × 8 Bit Configuration
5 V Write/Erase Operation (5 V V
PP
, 3.3 V
CC
)
– V
CC
for Write/Erase at as low as 2.9 V
Min. 2.7 V Read Capability
– 190 ns Maximum Access Time
(V
CC
= 2.7 V)
2 Banks Enable the Simultaneous
Read/Write/Erase Operation
32 Independently Lockable Blocks (16K)
100,000 Erase Cycles per Block
Automated Byte Write/Block Erase
– Command User Interface
– Status Register
System Performance Enhancement
– Erase Suspend for Read
– Two-Byte Write
– Bank Erase
Data Protection
– Hardware Erase/Write Lockout during
Power Transitions
– Software Erase/Write Lockout
Independently Lockable for Write/Erase
on Each Block (Lock Block and Protect
Set/Reset)
20 μA (Maximum) I
CC
in CMOS Standby
State-of-the-Art 0.55 μm ETOX
Flash Technology
40-Pin, 1.2 mm × 10 mm × 20 mm TSOP
(Type I) Package
28F040SUZ4-1
TOP VIEW
40-PIN TSOP
2
3
4
5
8
9
A
8
A
13
A
14
A
17
WE
37
36
35
34
33
32
29
26
6
7
A
9
NC1
NC1
A
11
31
30
BE
1
BE
0
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
GND
10
11
12
39
38
NC
13
28
DQ
2
DQ
1
DQ
0
A
0
A
1
A
2
A
3
NC
27
A
10
OE
NC
14
15
16
17
18
19
25
22
24
23
21
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
NC2
V
CC
20
NC2
40
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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