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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F160BHE-TTL90 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16M (x8/x16) Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600（x8/x16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 679K |
| 代理商： | LH28F160BHE-TTL90 |
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LHF16J04
34
Rev. 1.26
6.2.5 AC CHARACTERISTICS - WRITE OPERATIONS
(1)
V
CC
=2.7V-3.6V, T
A
=-40°C to +85°C
Parameter
Sym.
t
AVAV
t
PHWL
t
ELWL
t
WLWH
t
SHWH
t
VPWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHEH
t
WHWL
t
WHRL
t
WHGL
t
QVVL
t
QVSL
t
FVWH
t
WHFV
NOTES:
1. Read timing characteristics during block erase, full chip erase, word/byte write and lock-bit configuration operations are
the same as during read-only operations. Refer to AC Characteristics for read-only operations.
2. Sampled, not 100% tested.
3. Refer to Table 4 for valid A
IN
and D
IN
for block erase, full chip erase, word/byte write or lock-bit configuration.
4. V
CCW
should be held at V
CCWH1/2
until determination of block erase, full chip erase, word/byte write or lock-bit
configuration success (SR.1/3/4/5=0).
5. If BYTE# switch during reading cycle, exist the regulations separately.
Notes
Min.
90
1
10
50
100
100
50
50
0
0
10
30
Max.
Unit
ns
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle Time
RP# High Recovery to WE# Going Low
CE# Setup to WE# Going Low
WE# Pulse Width
WP#V
IH
Setup to WE# Going High
V
CCW
Setup to WE# Going High
Address Setup to WE# Going High
Data Setup to WE# Going High
Data Hold from WE# High
Address Hold from WE# High
CE# Hold from WE# High
WE# Pulse Width High
WE# High to RY/BY# Going Low or SR.7 Going "0"
Write Recovery before Read
V
CCW
Hold from Valid SRD, RY/BY# High Z
WP# V
IH
Hold from Valid SRD, RY/BY# High Z
BYTE# Setup to WE# Going High
BYTE# Hold from WE# High
2
2
2
3
3
100
0
0
0
50
90
2,4
2,4
5
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F160BJE-BTL90 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH28F160BJE-BTL90 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F160BJE-TTL90 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP |
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