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參數資料
| 型號： | LH28F800SG-L10 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| 中文描述： | 8 M位（512 KB的× 16）SmartVoltage閃存 |
| 文件頁數： | 29/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | LH28F800SG-L10 |
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LH28F800SG-L/SGH-L (FOR TSOP, CSP)
- 29 -
6.2.3 DC CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
V
CC
= 2.7 to 3.6 V
TYP.
V
CC
= 5.0±0.5 V
TYP.
UNIT
TEST
MAX.
MAX.
CONDITIONS
V
CC
= V
CC
Max.
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max.
V
OUT
= V
CC
or GND
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = RP# = V
CC
±0.2 V
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = RP# = V
IH
RP# = GND±0.2 V
I
OUT
(RY/BY#) = 0 mA
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = GND
f = 5 MHz (3.3 V, 2.7 V),
8 MHz (5 V)
I
OUT
= 0 mA
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = GND
f = 5 MHz (3.3 V, 2.7 V),
8 MHz (5 V)
I
OUT
= 0 mA
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
V
PP
= 12.0±0.6 V
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
V
PP
= 12.0±0.6 V
I
LI
Input Load Current
1
±0.5
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
1
±0.5
±10
μA
100
100
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1, 3, 6
2
2
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
1
12
16
μA
25
50
mA
I
CCR
V
CC
Read Current
1, 5, 6
30
65
mA
V
CC
Word Write or
Set Lock-Bit Current
17
17
12
17
17
12
—
—
35
30
—
30
25
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CCW
1, 7
V
CC
Block Erase or
Clear Block Lock-Bits
Current
I
CCWS
V
CC
Word Write or Block
I
CCES
Erase Suspend Current
I
PPS
V
PP
Standby or Read Current
I
PPR
V
PP
Deep Power-Down
Current
—
I
CCE
1, 7
1, 2
6
10
mA
CE# = V
IH
1
±15
200
±15
200
μA
μA
V
PP
≤
V
CC
V
PP
> V
CC
I
PPD
1
5
5
μA
RP# = GND±0.2 V
V
PP
Set Lock-Bit Current
80
80
30
40
40
30
—
—
80
30
—
40
30
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
V
PP
= 12.0±0.6 V
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
V
PP
= 12.0±0.6 V
I
PPW
1, 7
V
PP
Block Erase or
Clear Block Lock-Bits
Current
I
PPWS
V
PP
Word Write or Block
I
PPES
Erase Suspend Current
—
I
PPE
1, 7
1
200
200
μA
V
PP
= V
PPH1/2/3
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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