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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F800SG-L10 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| 中文描述： | 8 M位（512 KB的× 16）SmartVoltage閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | LH28F800SG-L10 |
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LH28F800SG-L/SGH-L (FOR TSOP, CSP)
- 42 -
V
PP
= 5.0±0.5 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.
V
PP
= 12.0±0.6 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.UNIT
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
t
WHQV1
t
EHQV1
Word Write Time
2
10
14
7.5
μs
Block Write Time
2
0.4
0.5
0.25
s
t
WHQV2
t
EHQV2
t
WHQV3
t
EHQV3
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHRH1
t
EHRH1
t
WHRH2
t
EHRH2
NOTES :
1.
Typical values measured at T
A
= +25C and nominal
voltages. Assumes corresponding lock-bits are not set.
Subject to change based on device characterization.
2.
Excludes system-level overhead.
Block Erase Time
2
1.3
1.2
s
Set Lock-Bit Time
2
18
15
μs
Clear Block Lock-Bits Time
2
1.6
1.5
s
Word Write Suspend Latency Time to Read
7.5
6
μs
Erase Suspend Latency Time to Read
14.4
14.4
μs
3.
These performance numbers are valid for all speed
versions.
Sampled, not 100% tested.
4.
6.2.8
BLOCK ERASE, WORD WRITE AND LOCK-BIT CONFIGURATION PERFORMANCE (contd.)
(NOTE 3, 4)
V
CC
= 5.0±0.25 V, 5.0±0.5 V, T
A
= 0 to +70C or –40 to +85
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F800SUT-70 | 8M (512K 】 16, 1M 】 8) Flash Memory |
| LH28F800BGR-BL12 | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGR-BL85 | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGR-TL12 | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGR-TL85 | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F800SG-L70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800SGN-L10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGN-L100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGN-L70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGR-L10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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