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參數(shù)資料
| 型號： | LTE42012R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | LTE42012R |
1997 Feb 21
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42012R
PACKAGE OUTLINE
Dimensions in mm.
Torque on screw: Max. 0.4 Nm
Recommended screw: M2.5
(1) Flatness of this area ensures full thermal contact with bolt head.
Fig.7 SOT440A.
handbook, full pagewidth
MBC888
O 0.25 M
1
2
(1)
3.4
3.2
2.9
2.0
7.1
14.2
5.1
5.5
max
4.5
min
4.5
min
0.25 M
1.0
0.1
3.45
2.90
20.5 max
seating plane
3
1.7 max
4.5
max
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參數(shù)描述 |
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