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參數(shù)資料
| 型號： | LTE42012R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | LTE42012R |
1997 Feb 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42012R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 70
open base
65
40
20
16
800
8
+200
200
235
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
≤
75
°
C
at 0.1 mm from ceramic;
t
≤
10 s
T
mb
≤
75
°
C.
(1) Region of permissible DC operation.
(2) Permissible extension provided R
BE
≤
70
.
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
10
1
10
2
MGL006
1
10
16
10
2
IC
(A)
VCE (V)
(1)
(2)
Fig.3
Power derating curve.
handbook,
0
50
100
200
10
0
8
150
6
4
2
MGD973
(W)
Tmb (
°
C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTL2300HR | Optoelectronic |
| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
| LTL2700Y | Optoelectronic |
| LTL2755Y | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| LTE4206C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LTE-4206C | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
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