參數(shù)資料
型號: LTE42012R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN
文件頁數(shù): 10/12頁
文件大小: 72K
代理商: LTE42012R
1997 Feb 21
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42012R
NOTES
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LTE-4206 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
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LTE-4206C 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk