參數(shù)資料
型號(hào)： LTE42012R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： LTE42012R
1997 Feb 21
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42012R
Table 1
Common-emitter scattering parameters: V
CE
= 16 V; I
C
= 400 mA; T
mb
= 25
°
C; Z
o
= 50
; typical values.
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
4100
4200
4300
4400
4500
4600
4700
4800
4900
5000
0.84
0.84
0.84
0.85
0.85
0.85
0.85
0.85
0.85
0.84
0.83
0.82
0.80
0.78
0.76
0.74
0.71
0.70
0.67
0.66
0.64
0.64
0.65
0.67
0.69
0.72
0.75
0.76
0.78
0.79
0.77
163
161
159
158
156
155
154
153
152
150
149
149
147
146
145
144
143
142
142
142
142
142
143
143
143
141
139
137
135
133
130
0.049
0.051
0.054
0.055
0.057
0.060
0.064
0.067
0.071
0.073
0.076
0.080
0.084
0.088
0.091
0.093
0.095
0.095
0.093
0.091
0.088
0.084
0.077
0.068
0.060
0.054
0.050
0.050
0.054
0.061
0.068
64
62.7
60.4
58.8
57.5
56.1
54.9
53.1
51.3
49.5
48.0
46.0
44.1
40.5
36.1
34.4
30.7
26.3
21.6
17.0
13.2
9.7
7.0
5.9
8.2
13.8
20.5
31.2
43.5
46.6
54.3
0.96
0.94
0.93
0.91
0.91
0.90
0.89
0.89
0.89
0.90
0.90
0.91
0.92
0.93
0.95
0.97
0.98
0.99
0.99
1.00
0.98
0.95
0.91
0.86
0.81
0.74
0.68
0.61
0.56
0.50
0.44
47.2
43.3
39.8
36.2
32.2
29.1
24.6
21.2
17.2
13.8
9.3
5.2
0.6
4.3
9.7
16.1
23.2
30.6
37.9
46.6
55.8
64.9
73.8
82.6
92.3
101.7
110.6
119.7
129.1
139.5
148.6
0.60
0.59
0.59
0.59
0.60
0.60
0.60
0.60
0.61
0.62
0.62
0.63
0.64
0.65
0.67
0.69
0.70
0.73
0.76
0.79
0.82
0.85
0.88
0.90
0.93
0.94
0.95
0.96
0.97
0.97
0.97
179.3
178.0
175.6
174.2
172.6
171.1
169.8
168.6
167.1
165.7
164.7
163.8
163.0
161.5
160.9
159.6
158.3
156.2
153.6
150.7
147.0
143.1
138.4
133.6
129.3
124.9
120.1
116.5
113.5
110.1
106.7
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LTE-4206 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
LTE-4206_1 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR
LTE4206C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic
LTE-4206C 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
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