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參數(shù)資料
| 型號： | LTE42012R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | LTE42012R |
1997 Feb 21
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42012R
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to T
mb
= 25
°
C in a common emitter class-A selective circuit; note 1.
Note
1. Circuit consists of prematching circuit boards in combination with complementary input and output slug tuners.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
C
(mA)
P
L1
(W)
G
po
(dB)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
4
j8
Class-A
4.2
16
400
>1
typ. 1.25
>6
typ. 7
7.5 + j12
Fig.4 Prematching test circuit board.
Dimensions in mm.
Input striplines on a double copper-clad printed-circuit board with PTFE fibreglass dielectric (
ε
r
= 2.54); thickness: 0.8 mm.
handbook, full pagewidth
6
2
6
2.2 2.5 2
2.5
1.5
1
5.5 8.5
30
11.3
6
12.8
6
11.2
30
2.5
MSA102
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTL2300HR | Optoelectronic |
| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
| LTL2700Y | Optoelectronic |
| LTL2755Y | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| LTE4206C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LTE-4206C | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
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