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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64322A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 2/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-7BG |
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ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
2/47
SDRAM
512K x 32 Bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
FEATURES
y
JEDEC standard 3.3V power supply
y
LVTTL compatible with multiplexed address
y
Four banks operation
y
MRS cycle with address key programs
- CAS Latency ( 2 & 3 )
- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )
- Burst Type ( Sequential & Interleave )
y
All inputs are sampled at the positive going edge of the
system clock
y
DQM for masking
y
Auto & self refresh
y
15.6
μ
s refresh interval
GENERAL DESCRIPTION
The M12L64322A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32 bits.
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
PIN ARRANGEMENT
Top View
ORDERING INFORMATION
86 Pin TSOP (TypeII)
(400mil x 875mil)
Product No.
MAX FREQ. PACKAGE COMMENTS
M12L64322A-5TG
200MHz
TSOPII
Pb-free
M12L64322A-6TG
166MHz
TSOPII
Pb-free
M12L64322A-7TG
143MHz
TSOPII
Pb-free
M12L64322A-5BG
200MHz
90BGA
Pb-free
M12L64322A-6BG
166MHz
90BGA
Pb-free
M12L64322A-7BG
143MHz
90BGA
Pb-free
1
2
3
4
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6
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9
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V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
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73
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70
69
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51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
V
SSQ
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
V
SSQ
DQ24
V
SS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SSQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
DQ19
DQ20
V
SSQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
86Pin TSOP(II)
(400mil x 875mil)
(0.5mm Pin pitch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-7T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M-12-LID-PLATED | 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M12 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
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