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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64322A-7TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 44/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-7TG |
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ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
44/47
Mode Register Set Cycle
Auto Refresh Cycle
All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
MODE REGISTER SET CYCLE
*Note : 1. CS , RAS , CAS , &
WE
activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
:Don't Car e
HIGH
0 1 2 3 4 5 6
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
HIGH
Key
Ra
HI- Z
HI- Z
*Not e 2
*N ot e 1
*N ot e 3
t
R C
M R S
New
Command
Auto Refresh
New Com m an d
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-7TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M-12-LID-PLATED | 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M12 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
| M12M1 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| M12M124D-0.5 | 制造商:L COM 功能描述:CA M12 TO M12 4 POS D .5M |
| M12M124D-1 | 制造商:L COM 功能描述:CA M12 TO M12 4 POS D 1M |
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