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參數(shù)資料
| 型號： | M13S64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 8/49頁 |
| 文件大小： | 1526K |
| 代理商： | M13S64164A-6BG |
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ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 8/49
AC Timing Parameter & Specifications-continued
-5
-6
Parameter
Symbol
min
max
min
max
Half Clock Period
t
HP
t
CL
min or t
CH
min
-
t
CL
min or t
CH
min
-
ns
DQ-DQS output hold time
t
QH
t
HP
-0.45
-
t
HP
-0.5
-
ns
Data hold skew factor
t
QHS
0.4
-
0.4
-
ns
ACTIVE to PRECHARGE
command
t
RAS
40
120Kns
42
120Kns
ns
Row Cycle Time
t
RC
60
-
60
-
ns
AUTO REFRESH Row Cycle
Time
t
RFC
70
-
72
-
ns
ACTIVE to READ,WRITE
delay
t
RCD
15
-
18
-
ns
PRECHARGE command
period
t
RP
15
-
18
-
ns
ACTIVE to READ with
AUTOPRECHARGE
command
t
RAP
15
120K
18
-
ns
ACTIVE bank A to ACTIVE
bank B command
t
RRD
10
-
12
-
ns
Write recovery time
t
WR
10
-
12
-
ns
Write data in to READ
command delay
t
WTR
1
-
1
-
t
CK
Col. Address to Col. Address
delay
t
CCD
1
-
1
-
t
CK
Average periodic refresh
interval
t
REFI
-
15.6
-
15.6
us
Write preamble
t
WPRE
0.25
-
0.25
-
t
CK
Write postamble
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS read preamble
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
DQS read postamble
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
Clock to DQS write preamble
setup time
t
WPRES
0
-
0
-
ns
Load Mode Register /
Extended Mode register
cycle time
t
MRD
2
-
1
-
t
CK
Exit self refresh to READ
command
t
XSRD
200
-
200
-
t
CK
Exit self refresh to
non-READ command
t
XSNR
75
-
75
-
ns
Autoprecharge write
recovery+Precharge time
t
DAL
(t
WR
/t
CK
)
+
(t
RP
/t
CK
)
(t
WR
/t
CK
)
+
(t
RP
/t
CK
)
t
CK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S64164A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M14256 | Memory Card IC 256K Bit Serial IIC Bus EEPROM(256K位串行IIC總線EEPROM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64322A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM |
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