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參數(shù)資料
| 型號： | M52S128168A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 22/47頁 |
| 文件大小： | 1213K |
| 代理商： | M52S128168A-7.5BG |
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ES MT
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
22/47
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
*Note : 1. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge interrupt
but only another bank precharge of four banks operation.
CLK
C M D
DQ M
DQ
D0
D1
D2
W R
* No t e 3
*N ot e 2
Ma s k e d b y D Q M
D3
CLK
i ) C M D
i i ) C M D
i i i ) C M D
i v) C M D
DQ M
DQ M
DQ M
DQ M
DQ
DQ
DQ
DQ
D1
D3
D1
D0
D2
D3
D0
D2
W R
(b) CL=3,BL= 4
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
D1
D3
D0
D2
Q0
*Not e 1
v) C M D
DQ M
DQ
R D
W R
H i - Z
R D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S128168A-7.5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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