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參數(shù)資料
| 型號： | M52S128168A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 23/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 1213K |
| 代理商： | M52S128168A-7.5BG |
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ES MT
6. Precharge
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
23/47
.
7. Auto Precharge
*Note
:
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay.
2. Number of valid output data after row precharge : 1,2 for CAS Latency = 2,3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
t
RD L
*Not e 1
CLK
C M D
C M D
DQ(CL2)
Q0
Q1
Q2
Q3
R D
PRE
DQ( CL3)
Q0
Q1
Q2
Q3
PRE
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
CL=2
PRE
CL=3
* Not e 2
* Not e 2
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
CLK
C M D
DQ(CL2)
D0
D1
D2
D3
R D
DQ(CL3)
* N o t e 3
Auto Precharge starts
D0
D1
D2
D3
* N o t e 3
Auto Precharge starts
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
t
R DL ( m i n )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S128168A-7.5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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