參數(shù)資料
型號(hào)： M68HC12B
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Microcontrollers
中文描述： 微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 102/334頁(yè)
文件大?。?/td> 1671K
代理商： M68HC12B
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FLASH EEPROM
M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
102
Freescale Semiconductor
8.3.4 FLASH EEPROM Control Register
This register controls the programming and erasure of the FLASH EEPROM.
FEESWAI — FLASH EEPROM Stop in Wait Control Bit
0 = Do not halt FLASH EEPROM clock when in wait mode.
1 = Halt FLASH EEPROM clock when in wait mode.
NOTE
The FEESWAI bit cannot be asserted if the interrupt vector resides in the
FLASH EEPROM array.
SVFP — Status V
FP
Voltage Bit
SVFP is a read-only bit.
0 = Voltage of V
FP
pin is below normal programming voltage levels.
1 = Voltage of V
FP
pin is above normal programming voltage levels.
ERAS — Erase Control Bit
This bit can be read anytime or written when ENPE = 0. When set, all locations in the array will be
erased at the same time. The boot block will be erased only if BOOTP = 0. This bit also affects the
result of attempted array reads. See
Table 8-1
for more information. Status of ERAS cannot change if
ENPE is set.
0 = FLASH EEPROM configured for programming
1 = FLASH EEPROM configured for erasure
LAT — Latch Control Bit
This bit can be read anytime or written when ENPE = 0. When set, the FLASH EEPROM is configured
for programming or erasure and, upon the next valid write to the array, the address and data will be
latched for the programming sequence. See
Table 8-1
for the effects of LAT on array reads. A high
voltage detect circuit on the V
FP
pin will prevent assertion of the LAT bit when the programming voltage
is at normal levels.
0 = Programming latches disabled
1 = Programming latches enabled
ENPE — Enable Programming/Erase Bit
0 = Disables program/erase voltage to FLASH EEPROM
1 = Applies program/erase voltage to FLASH EEPROM
ENPE can be asserted only after LAT has been asserted and a write to the data and address latches
has occurred. If an attempt is made to assert ENPE when LAT is negated, or if the latches have not
been written to after LAT was asserted, ENPE will remain negated after the write cycle is complete.
The LAT, ERAS, and BOOTP bits cannot be changed when ENPE is asserted. A write to FEECTL may
affect only the state of ENPE. Attempts to read a FLASH EEPROM array location in the FLASH
EEPROM module while ENPE is asserted will not return the data addressed. See
Table 8-1
for more
information.
Address: $00F7
Bit 7
6
5
4
3
2
1
Bit 0
Read:
Write:
Reset:
0
0
0
FEESWAI
SVFP
ERAS
LAT
ENPE
0
0
0
0
0
0
0
0
Figure 8-4. FLASH EEPROM Control Register (FEECTL)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M68HC705UGANG High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit
M68TC11E20B56 HC11 Microcontrollers
M68Z128W-70N1T 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable
M68Z128WN 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable
M68Z128W 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable
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參數(shù)描述
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M68HC705UGANG 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit
M68HC705UPGMR 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit
M68HC705X16PGMR 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
M68HC711CFD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:CONFIG REGISTER PROGRAMMING FOR EEPROM-BASED MHC MICROCONTROLLERS
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