參數(shù)資料
型號(hào)： M69AW024B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
中文描述： 16兆位（1米× 16）3V的異步移動(dòng)存儲(chǔ)芯片
文件頁(yè)數(shù)： 10/29頁(yè)
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代理商： M69AW024B
M69AW024B
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MAXIMUM RATING
Stressing the device above the rating listed in the
Absolute Maximum Ratings table may cause per-
manent damage to the device. Exposure to Abso-
lute Maximum Rating conditions for extended
periods may affect device reliability. These are
stress ratings only and operation of the device at
these or any other conditions above those indicat-
ed in the Operating sections of this specification is
not implied.
Table 3. Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
I
O
Output Current
–50
50
mA
T
A
Ambient Operating Temperature
–30
85
°C
T
STG
Storage Temperature
–55
125
°C
V
CC
Core Supply Voltage
–0.5
3.6
V
V
IO
Input or Output Voltage
–0.5
3.6
V
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PDF描述
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M6MGB331S8AKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT /1,048,576-WORD BY 8-BI
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