參數(shù)資料
型號(hào)： M69AW024B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
中文描述： 16兆位（1米× 16）3V的異步移動(dòng)存儲(chǔ)芯片
文件頁數(shù)： 16/29頁
文件大小： 429K
代理商： M69AW024B
M69AW024B
16/29
Figure 9. Address Access After G Control, Read Mode AC Waveforms
Note: 1. E2 = High and W = High.
2. Either or both LB and UB must be Low when both E1 and G are Low.
Figure 10. Address Access After E1 Control, Read Mode AC Waveforms
Note: 1. E2 = High and W = High.
2. Either or both LB and UB must be Low when both E1 and G are Low.
AI07745
tAVAX
tGHAX
DATA VALID
A3-A19
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
DATA VALID
tAVGH
tGLAX
tAXAV
tGLQV
tGLQX
tAXQX
tGHQX
tGHQZ
tAVGL1
A0-A2
tAVQV
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID (no change)
LB, UB
E1
tBLGL
tGHBH
AI07746
tEHAX
DATA VALID
A3-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
DATA VALID
tAVEH
tELAX
tAXAV
tELQV
tELQX
tAXQX
tEHQX
tEHQZ
tAVEL
A0-A2
tAVQV
LB, UB
tEHBH
tBLEL
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PDF描述
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M6MGB331S4BKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & 4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT/524,288-WORD B
M6MGB331S8AKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT /1,048,576-WORD BY 8-BI
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M69AW024BL70ZB8T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
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