參數(shù)資料
型號(hào)： M69AW024B
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
中文描述： 16兆位（1米× 16）3V的異步移動(dòng)存儲(chǔ)芯片
文件頁(yè)數(shù)： 19/29頁(yè)
文件大小： 429K
代理商： M69AW024B
19/29
M69AW024B
Figure 11. E1 Controlled, Write AC Waveforms
Note: 1. E2 must be High during the Write cycle.
Figure 12. W Controlled, Single Write AC Waveforms
Note: 1. E2 must be High during the Write cycle.
AI07411C
VALID DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
tDVEH
tEHDX
tGHEL
tBLEL
tWLEL
tELEH1
tEHEL1
tELEL
tEHBH
tBLEL
tEHWH
tWLEL
tAVEL
tELAX
W
UB, LB
tAVEL
AI07412C
VALID DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
tDVWH
tWHDX
tGHWL
tBLWL
tEHEL2
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tGHAX
tAVWL
W
UB, LB
tAVWL
ADDRESS VALID
tWLAX
tWHEH
tGHEL
tELWL
tWHBH
tGHQZ
tGHBH
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PDF描述
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M6MGB331S4BKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & 4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT/524,288-WORD B
M6MGB331S8AKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT /1,048,576-WORD BY 8-BI
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M69AW024BL60ZB8T 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16 MBIT (1M X16) 3V Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
M69AW024BL70ZB8T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
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