參數(shù)資料
型號(hào)： M69AW024B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
中文描述： 16兆位（1米× 16）3V的異步移動(dòng)存儲(chǔ)芯片
文件頁(yè)數(shù)： 21/29頁(yè)
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代理商： M69AW024B
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M69AW024B
Figure 15. E1 Controlled, Read/Write AC Waveforms 2
Figure 16. G Controlled Read, W Controlled Write AC Waveforms
Note: 1. E1 can be tied to Low for W and G controlled operation. When E1 is tied to Low, output is exclusively controlled by G.
AI07415C
WRITE DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
READ ADDRESS
tEHQX
tWLEL
tELEH
tEHEL1
tAVEL
W
UB, LB
tEHAX
tEHWH
tWHEL
tEHWL
tEHQZ
tGHEL
tEHDX
READ DATA OUTPUT
WRITE ADDRESS
tEHEL1
tAVEL
tBLEL
tELQX
tELGL
tBLEL
tEHBH
tEHEL1(min)
tELQV
tEHBH
AI07416C
WRITE DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
WRITE ADDRESS
READ ADDRESS
tDVWH
tWHDX
tGHWL
tWLAV
tWLWH
tWHAV
tGHAX
tAVWL
W
UB, LB
tAVGL1
ADDRESS VALID
tWLAX
tGHQZ
tGLQX
tGHQX
READ DATA OUTPUT
Low
tBLGL
tBLWL
tGHBH
tWHBH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M69AW048B 32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM
M69AW048BL70ZB8 32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM
M6D-50 DOUBLE-BALANCED MIXER
M6MGB331S4BKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & 4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT/524,288-WORD B
M6MGB331S8AKT 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT /1,048,576-WORD BY 8-BI
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參數(shù)描述
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M69AW024BL60ZB8T 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16 MBIT (1M X16) 3V Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
M69AW024BL70ZB8T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
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