- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377951 > MBM29LV200B-12 (Fujitsu Limited) CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV200B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 4/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MBM29LV200B-12 |
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4
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
I
FLEXIBLE SECTOR-ERASE ARCHITECTURE
One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes.
Individual-sector, multiple-sector, or bulk-erase capability.
Individual or multiple-sector protection is user definable.
16K byte
8K byte
8K byte
32K byte
64K byte
64K byte
64K byte
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64K byte
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32K byte
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16K byte
3FF
3BFFFH
39FFFH
37FFFH
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1FF
1DFFFH
1CFFFH
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17FFFH
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17FFFH
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MBM29LV200T Sector
MBM29LV200B Sector Architecture
×
8
×
16
×
8
×
16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200B | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200T | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV320BE | Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V |
| MBM29LV320BE10TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90 | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV200BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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