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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV200B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 49/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MBM29LV200B-12 |
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49
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
C
1995 FUJITSU LIMITED F44023S-2C-2
"A"
INDEX
0.40
.016
+0.10
0.05
+.004
M
0.13(.005)
1.27(.050)NOM
(.006±.002)
13.00±0.10
(.512±.004)
16.00±0.20
(.630±.008)
0.80±0.20
(.031±.008)
0(0)MIN
(STAND OFF)
1
22
23
44
LEAD No.
1.120
+.010
0.20
28.45
14.40±0.20
(.567±.008)
0.15±0.05
0.10(.004)
26.67(1.050)REF
2.50(.098)MAX
(MOUNTING HEIGHT)
Dimensions in mm (inches)
(44-pin Plastic SOP)
(FPT-44P-M16)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200B | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200T | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV320BE | Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V |
| MBM29LV320BE10TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90 | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV200BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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