參數(shù)資料
型號: MBM29LV200B-12
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
中文描述: 200萬的CMOS(256K × 8/128K × 16)位閃存(200萬(256K × 8/128K × 16)位單5V的電源電壓閃速存儲器)
文件頁數(shù): 48/50頁
文件大?。?/td> 469K
代理商: MBM29LV200B-12
48
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
C
1996 FUJITSU LIMITED F48030S-2C-2
Details of "A" part
0.15(.006)
MAX
0.35(.014)
MAX
0.15(.006)
0.25(.010)
INDEX
"A"
18.40±0.20
(.724±.008)
20.00±0.20
(.787±.008)
19.00±0.20
(.748±.008)
0.10(.004)
0.50±0.10
(.020±.004)
0.15±0.10
(.006±.002)
11.50(.460)REF
0.50(.0197)
TYP
0.20±0.10
(.008±.004)
0.05(0.02)MIN
STAND OFF
.043
.002
+.004
0.05
1.10
M
0.10(.004)
1
24
25
48
LEAD No.
*
*
12.00±0.20(.472±.008)
(MOUNTING HEIGHT)
(48-pin Plastic TSOP (I))
(FPT-48P-M20)
* Resin Protrusion:(Each Side:0.15(.006)MAX
Dimensions in mm (inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV200B 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV200T 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV320BE Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V
MBM29LV320BE10TR 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE90 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
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參數(shù)描述
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MBM29LV200BC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
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