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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV200T-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 31/50頁 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | MBM29LV200T-10 |
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31
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
t
CH
t
WP
t
WHWH1
t
WC
t
AH
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
GHWL
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
WE
5555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
CS
t
CE
t
DS
D
OUT
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
Figure 6 Alternate WE Controlled Program Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200T-12 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200B-12 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200B | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200T | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MBM29LV200TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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