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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV200T-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 36/50頁 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | MBM29LV200T-10 |
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MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
The rising edge of the last WE signal
CE
RY/BY
WE
t
BUSY
Entire programming
or erase operations
t
RP
RESET
t
READY
RY/BY
WE
t
BRB
Figure 11 RY/BY Timing Diagram during Program/Erase Operations
Figure 12 RESET/RY/BY Timing Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200T-12 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200B-12 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200B | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV200T | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV320BE | Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV200TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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