參數資料
型號： MBM29LV200T-10
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
中文描述： 200萬的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲器）
文件頁數： 33/50頁
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代理商： MBM29LV200T-10
33
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
V
CC
CE
OE
Addresses
Data
WE
5555H
2AAAH
5555H
5555H
2AAAH
SA
t
DS
t
CH
t
AS
t
AH
t
CS
t
WPH
t
DH
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
WP
AAH
55H
80H
AAH
55H
10H/
30H
Figure 8 AC Waveforms Chip/Sector Erase Operations
Notes:
1. SA is the sector address for Sector Erase. Addresses = 5555H (Word), AAAAH (Byte)
for Chip Erase.
2. These waveforms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
相關PDF資料
PDF描述
MBM29LV200T-12 CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV200B-12 CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV200B 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV200T 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV320BE Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V
相關代理商/技術參數
參數描述
MBM29LV200TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
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