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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV400T-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲(chǔ)器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400T-10 |
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33
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
6. These wavefororms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
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| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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