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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400T-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 42/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400T-10 |
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42
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
Fail
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Pass
Yes
Yes
No
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Yes
Figure 20 Data Polling Algorithm
Note:
DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
VA = Byte address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase or multiple
sector erases operation.
= XXXXH during sector erase or
multiple sector erases
= Any of the sector addresses
within the sector not being
protected during sector erase
or multiple sector erases
operation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
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參數(shù)描述 |
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