參數(shù)資料
型號: MBM29LV400T-10
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
中文描述: 的CMOS 4分(為512k × 8/256K × 16)Falsh存儲器(為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器)
文件頁數(shù): 50/51頁
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代理商: MBM29LV400T-10
50
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
C
1996 FUJITSU LIMITED C46002S-4C-2
12.00±0.10(.472±.004)
*
46
24
23
1
0.75(.030)MAX
(TOTAL HIGHT)
0.50(.020)TYP
M
0.05(.002)
INDEX
"B"
"A"
0.10(.004)TYP
0(0)MIN
(STAND OFF)
Details of "A" part
Details of "B" part
0.50(.020)TYP
*
0.50(.020)TYP
0.32±0.05
(.013±.002)
10.10±0.20
(.398±.008)
10.00±0.10
(.394±.004)
0.05(.002)
Dimensions in mm (inches)
(LCC-46P-M02)
46-pin plastic SON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV400T-12 CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400B-10 CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400B CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400T CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400TC-90 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
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參數(shù)描述
MBM29LV400TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29LV400TC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
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