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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400T-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 37/51頁 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400T-10 |
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37
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
CE
t
FLQZ
OE
BYTE
DQ
0
to DQ
14
DQ
15
/A
-1
Data Output
(DQ
0
to DQ
14
)
Data Output
(DQ
0
to DQ
7
)
Address
Input
DQ
15
Output
t
ELFL
t
ELFH
CE
The falling edge of the last WE signal
t
HOLD
WE
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
Input
Valid
BYTE
Figure 13 BYTE Timing Diagram for Read Operations
Figure 14 BYTE Timing Diagram for Write Operations
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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