參數(shù)資料
型號(hào)： MC68HC08JK3EMDW
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Microcontrollers
中文描述： 微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 163/180頁(yè)
文件大?。?/td> 1018K
代理商： MC68HC08JK3EMDW
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MC68HC908JL3E Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
163
A.5.6 Memory Characteristics
The Flash memory can only be read at an operating voltage of 2.2 to 5.5V. Program and erase are
achieved at an operating voltage of 2.7 to 5.5V. The program and erase parameters in
Table A-6
are for
V
DD
= 2.7 to 5.5V only.
Table A-6. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
V
RDR
—
1.3
—
V
Flash program bus clock frequency
1
—
MHz
Flash read bus clock frequency
f
Read(1)
1. f
Read
is defined as the frequency range for which the Flash memory can be read.
2. If the page erase time is longer than t
Erase
(Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash mem-
ory.
3. If the mass erase time is longer than t
MErase
(Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash
memory.
4. t
rcv
is defined as the time it needs before the Flash can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to 0.
5. t
HV
is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
t
HV
must satisfy this condition: t
nvs
+ t
nvh
+ t
pgs
+ (t
PROG
×
32)
≤
t
HV
max.
6. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
7. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
8. The Flash is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum time specified.
32k
8M
Hz
Flash page erase time
t
Erase(2)
1
—
ms
Flash mass erase time
t
MErase(3)
t
nvs
t
nvh
t
nvhl
t
pgs
t
PROG
4
—
ms
Flash PGM/ERASE to HVEN set up time
10
—
μ
s
Flash high-voltage hold time
5
—
μ
s
Flash high-voltage hold time (mass erase)
100
—
μ
s
Flash program hold time
5
—
μ
s
Flash program time
30
40
μ
s
Flash return to read time
t
rcv(4)
1
—
μ
s
Flash cumulative program hv period
t
HV(5)
—
—
4
ms
Flash row erase endurance
(6)
Flash row program endurance
(7)
Flash data retention time
(8)
10k
—
cycles
—
10k
—
cycles
—
10
—
years
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PDF描述
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MC68HC08JK8MDW 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
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