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參數(shù)資料
| 型號： | MSM56V16400D-12TS-K |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 2-Bank X 2,097,152-Word X 4-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2，銀行甲2097152字× 4位同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 9/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | MSM56V16400D-12TS-K |
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Semiconductor
MSM56V16400D/DH
9/30
Notes :
1. AC measurements assume that t
T
= 1 ns.
2. The reference level for timing of input signals is 1.4 V.
3. Output load.
Output
Z = 50
W
50 pF
50
W
1.4 V
4. The access time is defined at 1.4 V.
5. If t
T
is longer than 1 ns, then the reference level for timing of input signals is V
IH
and
V
IL
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSM56V16400D | 2-Bank X 2,097,152-Word X 4-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16400D-10TS-K | 2-Bank X 2,097,152-Word X 4-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16400DH-15TS-K | 2-Bank X 2,097,152-Word X 4-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16800D | 2-Bank×1,048,576-Word×8-Bit Synchronous Dynamic RAM(2組×1,048,576字×8位同步動態(tài)RAM) |
| MSM56V16800DH | 2-Bank×1,048,576-Word×8-Bit Synchronous Dynamic RAM(2組×1,048,576字×8位同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSM56V16400F-60T3KR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM56V16800F-10TS-K | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM5SG00P | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:SW.PSDA,5-G,SPEC.GRADE W/PASS THRU |
| MSM5SGGFP | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:SW.PSDA,5-G,GROUND FAULT W/PASS THRU |
| MSM6000 | 制造商:QUALCOMM 制造商全稱:QUALCOMM 功能描述: |
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