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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46V32M81AZ4-6T:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/82頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2866K |
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128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef8074a655
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 7/04 EN
24
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 15: Nonconsecutive READ Bursts
NOTE:
1. DO n (or b) = data-out from column n (or column b).
2. Burst length = 4 or 8 (if 4, the bursts are concatenated; if 8, the second burst interrupts the first).
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO n.
4. Three (or seven) subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO b.
5. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
CK
CK#
COMMAND
READ
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col b
COMMAND
ADDRESS
CL = 2
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T5n
T6
READ
NOP
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col b
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T5n
T6
DO
b
DO
n
DO
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
COMMAND
ADDRESS
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 3
READ
NOP
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col b
T0
T1
T2
T3
T3n
T4n
T4
T5
T6
DO
n
DO
b
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