- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄268181 > NAND01GR3B2CN6F (NUMONYX) 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR3B2CN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 10/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
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Bus operations
NAND01G-B2C
Table 7.
Address insertion, x16 devices
Bus
cycle(1)
1.
Any additional address input cycles will be ignored.
I/O8-
I/O15
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
X
A7A6A5
A4A3A2A1
A0
2nd
X
VIL
A10
A9
A8
3rd
X
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
4th
X
A26
A25
A24
A23
A22
A21
A20
A19
Table 8.
Address definitions, x8 devices
Address
Definition
A0 - A11
Column address
A12 - A17
Page address
A18 - A27
Block address
Table 9.
Address definitions, x16 devices
Address
Definition
A0 - A10
Column address
A11 - A16
Page address
A17 - A26
Block address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3BV1T | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR3B3CV6 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2AN6F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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| NAND01GR3B2CZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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