- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄268181 > NAND01GR3B2CN6F (NUMONYX) 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR3B2CN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 47/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
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NAND01G-B2C
DC and AC parameters
51/65
Figure 20.
Command Latch AC waveforms
1.
The time to ready depends on the value of the pull-up resistor tied to the ready/busy pin. See Figure 33, Figure 34 and
2.
tWHWH is the time from W rising edge during the final address cycle to W rising edge during the first data cycle.
3.
During a program/erase enable operation, tWW is the delay from WP high to W High.
During a program/erase disable Operation, tWW is the delay from WP Low to W High.
4.
tRLQX is valid when frequency is higher than 33 MHz, tRHQX is valid for frequency lower than 33 MHz.
5.
ES = electronic signature.
ai13105
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWH
tELWH
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWH
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
H(E Setup time)
(E Hold time)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3BV1T | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND01GW3B2AN6F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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| NAND01GR3B2CZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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