- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄268181 > NAND01GR3B2CN6F (NUMONYX) 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR3B2CN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 44/65頁 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁當前第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁
NAND01G-B2C
DC and AC parameters
49/65
Table 24.
AC characteristics for command, address, data input
Symbol
Alt.
symbol
Parameter
1.8 V
devices
3 V
devices
Unit
tALLWH
tALS
Address Latch Low to Write Enable High
AL setup time
Min
25
12
ns
tALHWH
Address Latch High to Write Enable High
tCLHWH
tCLS
Command Latch High to Write Enable
High
CL setup time
Min
25
12
ns
tCLLWH
Command Latch Low to Write Enable
High
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data setup time
Min
20
12
ns
tELWH
tCS
Chip Enable Low to Write Enable High
E setup time
Min
35
20
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL hold time
Min
10
5
ns
tWHALL
Write Enable High to Address Latch Low
AL hold time
Min
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch
High
CL hold time
Min
10
5
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch
Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data hold time
Min
10
5
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E hold time
Min
10
5
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High hold time Min
15
10
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W pulse width
Min
25
12
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write cycle time
Min
45
25
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3BV1T | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR3B3CV6 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2AN6F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND01GR3B2CZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR3B2CZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。