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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Pentium II 333 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Processor with On-Die Cache Low-Power Module(帶片上緩存低能量模塊的處理器) |
| 中文描述： | 而對(duì)整個(gè)處理器模高速緩存低功率模塊（帶片上緩存低能量模塊的處理器） |
| 文件頁數(shù)： | 38/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1123K |
| 代理商： | PENTIUM II 333 |
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Pentium
II
Processor with On-Die Cache – Low-Power Module
38
Datasheet
4.7.4.1
Slew-rate Control: Circuit Description
In Figure 8, PWR is the voltage generated by applying the AC Adaptor or Battery. M1 is a low
RDS (on) P-Channel MOSFET such as a Siliconix* SI4435DY. When the voltage on PWR is
applied and increased to over 4.75 V, the UNDER_VOLTAGE_LOCKOUT circuit allows R4 to
pull up the gate of M3 to start a turn-on sequence. M3 pulls its drain toward ground forcing current
to flow through R2. M1 will not start to source any current until after t_delay with t_delay defined
as:
The system manufacturer’s Vgs_max specification of 20 V must never be exceeded. However,
Vgs_max must be high enough to keep the RDS (on) of the device as low as possible. After the
initial t_delay, M1 will begin to source current and V_DC will start to ramp up. The ramp up time,
t_ramp, is defined as:
Figure 8. Overcurrent Protection Circuit
NOTE:
Values shown are for reference only.
t_delay
R.
Vt
Vgs_max
Vpwr
Vgs_max
.
R16
R16 R2
Vpwr
t_ramp
R.
Vsat
Vgs_max
t_delay
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PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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