參數(shù)資料
型號(hào)： PF08109B
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
中文描述： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話
文件頁(yè)數(shù)： 19/25頁(yè)
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代理商： PF08109B
PF08109B
Rev.3, Feb. 2001, page 17 of 23
6
4
0
2
2
4
6
Pin (dBm)
10
15
20
25
30
35
E
Vdd = 3.5 V,
Vapc = control,
Pout = 26.7 dBm,
Tc = 25
°
C,
Rg = Rl = 50
f = 1710 MHz
f = 1785 MHz
f = 1710 MHz
f = 1785 MHz
25
20
30
15
35
Pout (dBm)
35
25
30
20
15
5
10
0
C
a
w
(
Vdd = 3.5 V,
Vapc = control,
Pin = 0 dBm,
Tc = 25
°
C,
Rg = Rl = 50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF08127B MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
PF08134B MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
PF0 General Purpose Fast Rectifier
PF1002 Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PF1003 Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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參數(shù)描述
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PF08114B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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PF08123B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
PF08127B 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
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