參數(shù)資料
型號(hào)： PF08109B
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
中文描述： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話
文件頁(yè)數(shù)： 9/25頁(yè)
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代理商： PF08109B
PF08109B
Rev.3, Feb. 2001, page 7 of 23
33
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35
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37
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P
800
840
880
920
960
1000
f (MHz)
High mode
Low mode
High mode
Low mode
15
20
25
30
40
35
45
50
E
800
840
880
920
960
1000
f (MHz)
Vdd = 3.5 V,
Vapc = 2.2 V,
Pin = 0 dBm,
Tc = 25
°
C,
Rg = Rl = 50
High mode: Vtxlo = 0.1 V
Low mode: Vtxlo = 2.4 V
Vdd = 3.5 V,
Vapc = control,
Pin = 0 dBm,
Tc = 25
°
C,
Rg = Rl = 50
High mode: Pout = 35.5 dBm
Vtxlo = 0.1 V
Low mode: Pout = 30.8 dBm
Vtxlo = 2.4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PF0 General Purpose Fast Rectifier
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PF1003 Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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