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參數(shù)資料
| 型號： | PF08109B |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話 |
| 文件頁數(shù)： | 22/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | PF08109B |
PF08109B
Rev.3, Feb. 2001, page 20 of 23
3.0
3.4
3.2
3.6
4.2 4.4
3.8 4.0
4.6 4.8 5.0 5.2
Vdd (V)
30
31
34
32
37
35
33
36
38
P
DCS
Pin = 0 dBm,
Vapc = 2.2 V,
Tc = 25
°
C
f = 1710 MHz
f = 1785 MHz
3.0
3.4
3.2
3.6
4.2 4.4
3.8 4.0
4.6 4.8 5.0 5.2
Vdd (V)
20
25
35
30
40
45
E
DCS
Pin = 0 dBm,
Po = 32.7 dBm,
Tc = 25
°
C
f = 1710 MHz
f = 1785 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF08134B | MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF0 | General Purpose Fast Rectifier |
| PF1002 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PF1003 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08123B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08127B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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