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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PF08109B |
| 廠(chǎng)商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話(huà) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | PF08109B |
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PF08109B
MOS FET Power Amplifier Module
for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
ADE-208-821C (Z)
Rev.3
Feb. 2001
Application
Dual band Amplifier for E-GSM (880 MHz to 915 MHz) and DCS1800 (1710 MHz to 1785 MHz)
For 3.5 V nominal battery use
Features
2 in / 2 out dual band amplifire
Simple external circuit including output matching circuit
High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ
Lead less thin & Small package : 11
×
13.75
×
1.8 mm Typ
High efficiency : 50% Typ at nominal output power for E-GSM
43% Typ at 32.7 dBm for DCS1800
Pin Arrangement
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
9:
10:
11:
12:
G:
N/C
N/C
Pout
DCS
Vdd
DCS
Vdd
GSM
Pout
GSM
N/C
Vtxlo
Pin
GSM
Vapc
GSM
Vapc
DCS
Pin
DCS
GND
RF-O-12
1
2
3
4
G
8
910G1112
7
5
6
G
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF08134B | MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF0 | General Purpose Fast Rectifier |
| PF1002 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PF1003 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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| PF08123B | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述: |
| PF08127B | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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