- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367941 > PHP109 (NXP SEMICONDUCTORS) P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP109 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管) |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | PHP109 |
1997 Jun 18
6
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP109
Fig.5
Gate-source voltage as a function of total
gate charge; typical values.
V
DD
=
15 V: I
D
=
2.5 A.
handbook, halfpage
VGS
(V)
MGD386
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
30
25
Qg (nC)
Fig.6 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
(A)
0
10
2
4
4
8
12
16
20
6
8
0
MGD384
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
VDS (V)
VGS =
10 V
7.5 V
5 V
T
j
= 25
°
C.
Fig.7 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
=
10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
16
12
8
2
4
6
8
4
0
MGD385
VGS (V)
Fig.8
Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
j
= 150
°
C.
(2) T
j
= 25
°
C.
(3) T
j
=
65
°
C.
handbook, halfpage
ISD
(A)
16
0
(1)
(2)
VSD (V)
0.8
0.4
2.4
2.0
0
MGD387
1.6
1.2
4
8
12
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| PHD11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| PHP125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| PHB125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管邏輯電平FET) |
| PHP125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP109T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO |
| PHP10N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP10N40 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP10N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP10N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。
