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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP109 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管) |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | PHP109 |
1997 Jun 18
8
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP109
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage as a function of junction
temperature; typical values.
V
GSth
at V
DS
=V
GS
; I
D
=
1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
75
25
175
k
1.2
0.8
0.6
1.0
MGD389
25
75
125
Tj (
o
C)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-resistance as a function of junction
temperature; typical values.
R
DSon
at:
(1) V
GS
=
10 V; I
D
=
2.5 A.
(2) V
GS
=
4.5 V; I
D
=
1.25 A.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
75
25
175
k
1.4
(1)
(2)
0.6
1.0
MGD390
25
75
125
Tj (
o
C)
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