參數(shù)資料
型號： PSD834F2
英文描述： Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals For 8-bit MCUs(用于8位MCUs的閃速ISP外圍)
中文描述： Flash在系統(tǒng)可編程（ISP）為周邊8位微控制器（用于8位微控制器的閃速的ISP外圍）
文件頁數(shù)： 79/98頁
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代理商： PSD834F2
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PSD8XXF2/3/4/5
Table 54. Read Timing (5V devices)
Note: 1. RD timing has the same timing as DS, LDS, UDS, and PSEN signals.
2. RD and PSEN have the same timing.
3. Any input used to select an internal PSD8xxF2/3/4/5 function.
4. In multiplexed mode, latched addresses generated from ADIO delay to address output on any Port.
5. RD timing has the same timing as DS, LDS, and UDS signals.
Symbol
Parameter
Conditions
-70
-90
-15
Turbo
Off
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
LVLX
ALE or AS Pulse Width
15
20
28
ns
t
AVLX
Address Setup Time
(Note
3
)
4
6
10
ns
t
LXAX
Address Hold Time
(Note
3
)
7
8
11
ns
t
AVQV
Address Valid to Data Valid
(Note
3
)
70
90
150
+ 10
ns
t
SLQV
CS Valid to Data Valid
75
100
150
ns
t
RLQV
RD to Data Valid 8-Bit Bus
(Note
5
)
24
32
40
ns
RD or PSEN to Data Valid
8-Bit Bus, 8031, 80251
(Note
2
)
31
38
45
ns
t
RHQX
RD Data Hold Time
(Note
1
)
0
0
0
ns
t
RLRH
RD Pulse Width
(Note
1
)
27
32
38
ns
t
RHQZ
RD to Data High-Z
(Note
1
)
20
25
30
ns
t
EHEL
E Pulse Width
27
32
38
ns
t
THEH
R/W Setup Time to Enable
6
10
18
ns
t
ELTL
R/W Hold Time After Enable
0
0
0
ns
t
AVPV
Address Input Valid to
Address Output Delay
(Note
4
)
20
25
30
ns
相關PDF資料
PDF描述
PSD835G2 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(8位微控制器片上存儲器可編程外設)
PSD835G2 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
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參數(shù)描述
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