參數資料
型號： PSD834F2
英文描述： Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals For 8-bit MCUs(用于8位MCUs的閃速ISP外圍)
中文描述： Flash在系統(tǒng)可編程（ISP）為周邊8位微控制器（用于8位微控制器的閃速的ISP外圍）
文件頁數： 85/98頁
文件大小： 595K
代理商： PSD834F2
85/98
PSD8XXF2/3/4/5
Table 58. Program, Write and Erase Times (5V devices)
Symbol
Note: 1. Programmed to all zero before erase.
2. The polling status, DQ7, is valid tQ7VQV time units before the data byte, DQ0-DQ7, is valid for reading.
Table 59. Program, Write and Erase Times (3V devices)
Symbol
Note: 1. Programmed to all zero before erase.
2. The polling status, DQ7, is valid tQ7VQV time units before the data byte, DQ0-DQ7, is valid for reading.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Flash Program
8.5
s
Flash Bulk Erase
1
(pre-programmed)
3
30
s
Flash Bulk Erase (not pre-programmed)
5
s
t
WHQV3
Sector Erase (pre-programmed)
1
30
s
t
WHQV2
Sector Erase (not pre-programmed)
2.2
s
t
WHQV1
Byte Program
14
1200
μ
s
Program / Erase Cycles (per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μ
s
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output (DQ7-DQ0) Valid(Data Polling)
2
30
ns
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Flash Program
8.5
s
Flash Bulk Erase
1
(pre-programmed)
3
30
s
Flash Bulk Erase (not pre-programmed)
5
s
t
WHQV3
Sector Erase (pre-programmed)
1
30
s
WHQV2
Sector Erase (not pre-programmed)
2.2
s
t
WHQV1
Byte Program
14
1200
μ
s
Program / Erase Cycles (per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μ
s
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output (DQ7-DQ0) Valid(Data Polling)
2
30
ns
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PDF描述
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PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
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