參數(shù)資料
型號(hào)： PTF180101
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管10瓦，1805至1880年兆赫，1930-1990 MHz的10瓦，2110年至二一七〇年兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： PTF180101
Data Sheet
4
2004-02-03
PTF180101
Broadband Test Fixture Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.18 A, P
OUT
= 4 W
0
1900
5
10
15
20
25
30
1930
1960
1990
2020
Frequency (MHz)
G
-40
-30
-20
-10
0
10
20
R
Gain
Return Loss
Efficiency
Output Power vs. Supply Voltage
I
DQ
= 0.18 A, f = 1990 MHz
37
38
39
40
41
42
22
24
26
28
30
32
Supply Voltage (V)
O
Typical Performance
(cont.)
Power Gain vs. Output Power
V
DD
= 28 V, f = 1990 MHz
18
19
20
21
0
1
10
100
Output Power (W)
P
I
DQ
= 0.135 mA
I
DQ
= 0.180 mA
I
DQ
= 0.235 mA
Broadband Test Fixture Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.18 A, P
OUT
= 10 W
0
1900
10
20
30
40
50
1930
1960
1990
2020
Frequency (MHz)
G
-35
-25
-15
-5
5
15
R
Gain
Return Loss
Efficiency
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF180101S LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
PTF180601 LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601C LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601E LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180901E GSM/EDGE RF Power FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF180101M 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10W,1.0-2.0 GHz
PTF180101M V1 功能描述:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF180101S 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
PTF180101S V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF180101SV1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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