參數(shù)資料
型號： PTF180101
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管10瓦，1805至1880年兆赫，1930-1990 MHz的10瓦，2110年至二一七〇年兆赫
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 310K
代理商： PTF180101
Data Sheet
5
2004-02-03
PTF180101
Typical Performance
(cont.)
Two–Tone Drive–up
V
DD
= 28V, I
DQ
= 135 mA, f = 2170 MHz,
tone spacing = 1 MHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
20
25
30
35
40
45
Output Power (dBm), PEP
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
D
IM3
Efficiency
Single–Carrier WCDMA Drive–Up
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 135 mA, f = 2170 MHz,
3GPP WCDMA signal, Test Model 1 w/16 DPCH, 67%
clipping, P/A R = 8.7 dB, 3.84 MHz bandwidth
-35
-60
-55
-50
-45
-40
17
22
27
32
37
Average Output Power (dBm)
A
P
0
5
10
15
20
25
D
ACPR
Efficiency
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
30
32
34
36
38
40
42
Output Power, PEP (dBm)
I
Intermodulation Distortion vs. Output Power
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.18 A, f
1
= 1990 MHz, f
2
= 1991 MHz
3rd Order
7th
5th
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
1.04
-20
0
20
40
60
80
100
Case Temperature (°C)
N
0.05 A
0.28 A
0.51 A
0.74 A
0.97 A
1.20 A
Gate-Source Voltage vs. Case Temperature
Voltage normalized to typical gate voltage.
Series show current.
Typical Performance,
WCDMA Operation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF180101S LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
PTF180601 LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601C LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601E LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180901E GSM/EDGE RF Power FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF180101M 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10W,1.0-2.0 GHz
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PTF180101S 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
PTF180101S V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF180101SV1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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