型號: | PTF180101 |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz |
中文描述: | LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管10瓦,1805至1880年兆赫,1930-1990 MHz的10瓦,2110年至二一七〇年兆赫 |
文件頁數(shù): | 7/10頁 |
文件大?。?/td> | 310K |
代理商: | PTF180101 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PTF180101S | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz |
PTF180601 | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
PTF180601C | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
PTF180601E | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
PTF180901E | GSM/EDGE RF Power FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PTF180101M | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10W,1.0-2.0 GHz |
PTF180101M V1 | 功能描述:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
PTF180101S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz |
PTF180101S V1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
PTF180101SV1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |