型號(hào): | SI4126M-EVB |
廠商: | Silicon Laboratories Inc |
文件頁(yè)數(shù): | 17/34頁(yè) |
文件大小: | 0K |
描述: | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
類型: | 合成器 |
適用于相關(guān)產(chǎn)品: | SI4126 |
已供物品: | 板,CD |
其它名稱: | 336-1112 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4128DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
Si4128DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4128DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI412K | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:SPLICE AUTO SEIZE |
SI412K3 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:TWO PIECE SPLICE 412P3 AUTO SEIZE |