參數(shù)資料
型號(hào)： SI4126M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 22/34頁
文件大?。?/td> 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4126
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4126
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1112
Si4136/Si4126
Rev. 1.41
29
6. Ordering Guide
7. Si4136 Derivative Devices
The Si4136 performs both IF and dual-band RF frequency synthesis. The Si4126 is a derivative of this device. The
Si4126 features two synthesizers, RF2 and IF; it does not include RF1. The pinouts for the Si4126 and the Si4136
are the same. Unused registers related to RF1 should be programmed to zero.
Ordering Part
Number
Description
Lead-Free/
RoHS Compliant
Temperature
Si4136-F-BT
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT
–40 to 85 oC
Si4136-F-GT
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT/Lead Free
–40 to 85 oC
Si4136-F-BM
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT
–40 to 85 oC
Si4136-F-GM
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT/Lead Free
–40 to 85 oC
Si4126-F-BM
2.3 GHz/IF OUT
–40 to 85 oC
Si4126-F-GM
2.3 GHz/IF OUT/Lead Free
–40 to 85 oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
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參數(shù)描述
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SI4128DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI412K 制造商:Thomas & Betts 功能描述:SPLICE AUTO SEIZE
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