參數(shù)資料
型號： SI4126M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 5/34頁
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描述： BOARD EVALUATION FOR SI4126
標準包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4126
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1112
Si4136/Si4126
Rev. 1.41
13
s
Figure 9. Typical RF2 Phase Noise at 2.1 GHz
with 1 MHz Phase Detector Update Frequency
Figure 10. Typical RF2 Spurious Response at 2.1 GHz
with 1 MHz Phase Detector Update Frequency
Typical RF2 Phase Noise at 2.1 GHz
-140
-130
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
Offset Frequency (Hz)
P
hase
Noise
(dB
c
/Hz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4123M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4123
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4128DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si4128DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4128DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI412K 制造商:Thomas & Betts 功能描述:SPLICE AUTO SEIZE
SI412K3 制造商:Thomas & Betts 功能描述:TWO PIECE SPLICE 412P3 AUTO SEIZE
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